Lanthanum gallium Silikat (La₃Ga₅SiO₁₄, LGS) Kristall gehéiert zu Tripartite Kristallsystem, Punkt Grupp 32, Raum Grupp P₃₂₁ (Nr. 150). LGS huet vill Effekter wéi piezoelektresch, elektrooptesch, optesch Rotatioun, a kann och als Lasermaterial duerch Doping benotzt ginn. Am Joer 1982, Kaminskyet al. gemellt de Wuesstem vun dotéiert LGS Kristaller. Am Joer 2000 goufen LGS Kristalle mat engem Duerchmiesser vun 3 Zoll an enger Längt vun 90 mm vun Uda a Buzanov entwéckelt.

LGS Kristall ass en excellent piezoelektrescht Material mat opzedeelen Typ vun null Temperatur Koeffizient. Awer anescht wéi piezoelektresch Uwendungen, elektrooptesch Q-Schaltapplikatiounen erfuerderen méi héich Kristallqualitéit. Am Joer 2003, Konget al. erfollegräich gewuess LGS Kristaller ouni offensichtlech macroscopic Mängel vun Czochralski Method benotzt, a fonnt, datt d'Wuesstem Atmosphär d'Faarf vun de Kristalle beaflosst. Si kruten faarweg a gro LGS Kristalle an hunn LGS zu EO Q-Schalter mat der Gréisst vun 6,12 mm × 6,12 mm × 40,3 mm gemaach. Am 2015 huet eng Fuerschungsgrupp an der Shandong Universitéit erfollegräich LGS Kristalle mat Duerchmiesser 50 ~ 55 mm, Längt 95 mm, a Gewiicht 1100 g ouni offensichtlech Makrodefekter gewuess.

Am Joer 2003 huet déi uewe genannte Fuerschungsgrupp an der Shandong Universitéit de Laserstrahl zweemol duerch den LGS-Kristall lassgelooss an e Véierelwellenplack agebaut fir den opteschen Rotatiounseffekt entgéintzewierken, sou datt d'Applikatioun vum opteschen Rotatiounseffekt vum LGS-Kristall realiséiert gouf. Den éischten LGS EO Q-Schalter gouf duerno gemaach an erfollegräich am Lasersystem applizéiert.

Am Joer 2012, Wang et al. e LGS elektro-optesche Q-Schalter mat enger Gréisst vu 7 mm × 7 mm × 45 mm virbereet, an d'Ausgab vum 2,09 μm gepulste Laserstrahl (520 mJ) am Flash-Lampe gepompelt Cr,Tm,Ho:YAG Lasersystem realiséiert. . Am Joer 2013 gouf 2,79 μm gepulste Laserstrahl (216 mJ) Ausgang am Flash-Lampepompel Cr,Er:YSGG Laser erreecht, mat Pulsbreet 14,36 ns. Am Joer 2016, Maet al. benotzt e 5 mm × 5 mm × 25 mm LGS EO Q Schalter am Nd: LuVO4 Laser System, fir Widderhuelungsquote vun 200 kHz ze realiséieren, wat den héchste Widderhuelungsquote vum LGS EO Q-gewiesselte Lasersystem ass, deen am Moment ëffentlech gemellt gëtt.

Als EO Q-Switching Material huet LGS Kristall gutt Temperaturstabilitéit an héich Schued Schwell, a kann op héich Widderhuelung Frequenz Aarbecht. Wéi och ëmmer, et gi verschidde Probleemer: (1) D'Rohmaterial vum LGS-Kristall ass deier, an et gëtt keen Duerchbroch beim Ersatz vu Gallium mat Aluminium wat méi bëlleg ass; (2) Den EO Koeffizient vun LGS ass relativ kleng. Fir d'Betribsspannung ze reduzéieren op der Viraussetzung fir déi genuch Ouverture ze garantéieren, muss d'Kristalllängt vum Apparat linear erhéicht ginn, wat net nëmmen d'Käschte erhéicht, awer och den Insertiounsverloscht erhéicht.

LGS Crystal - WISOPTIC TECHNOLOGY